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Infineon Technologies SIDC14D60E6
| Artikelnummer: | SIDC14D60E6 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
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| Aktie: |
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Infineon Technologies SIDC14D60E6 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SIDC14D60E6.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 30A Spannung - Sperr (Vr) (max) 600V Supplier Device-Gehäuse Sawn on foil Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Serie - Verpackung Bulk Verpackung / Gehäuse Die Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C Befestigungsart Surface Mount Diodentyp Standard Strom - Sperrleckstrom @ Vr 27µA @ 600V Strom - Richt (Io) 30A (DC) Kapazität @ Vr, F - SIDC14D60E6 Einzelheiten PDF [English] SIDC14D60E6 PDF - EN.pdf -
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